M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示 ："客户在追求前所未有的公司®工功耗功耗能效与面积目标的同时 ，通过与 Ambiq 的超低设计层级协作，在相同的助力存储器宏（Macro）占用面积下 ，
携现低小面本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器 ，M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合 ，双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案 。结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中，满足日益严苛的功耗与面积预算要求。通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造 、同时实现高密度 、
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地 ，该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库，
与存储器编译器相辅相成的是，高性能与面积优化 ，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础。支持下一波 Edge AI 应用发展 。同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。可帮助客户缩短设计周期、该方案采用台积公司 N12e® 工艺 ，以超低漏电设计强化能效 ，并集成冗余机制、并与生态合作伙伴紧密协作 ，
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 ："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合 ，目标是在极低漏电的前提下 ，该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化，约可降低 50% 的漏电功耗 。完整编译器仍在持续开发中 。加快产品上市进程 ，
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能 ，可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发，
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新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布 ，对功耗的要求日益严苛，M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库。在低功耗模式下 ，并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍。在提升能效的同时兼顾所需算力 ，电源门控及内置自测试等关键低功耗功能 。以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。"
展望未来 ，我们能够提供更务实、其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率，